下图展示了我司设备对 4英寸碳化硅（SiC）晶圆在抛光前后的对比效果。经过精密磨抛工艺处理后，晶圆表面粗糙度 RA < 0.5nm，厚度差 TTV < 4μm，表面实现镜面级平整度，满足先进半导体工艺对超高精度的严格要求。

4英寸碳化硅（SiC）晶圆-抛光前

4英寸碳化硅（SiC）晶圆-抛光后

我们的高精密化学机械磨抛机不仅适用于碳化硅（SiC），还广泛覆盖 硅片（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、蓝宝石（sapphire）、玻璃（glass） 等多种硬脆材料。凭借卓越的平面度控制与纳米级表面精度，设备能够广泛应用于 半导体制造、功率器件、光电子、光学元件 等领域。

选择我们的半导体晶圆磨抛设备，即意味着选择了：

纳米级精度（RA < 0.1nm）

优异的厚度均匀性（TTV < 1μm）

多材料兼容性（SiC、Si、GaAs、GaN、sapphire 等）

稳定可靠的加工效果

通过不断优化工艺和技术，我们致力于为全球客户提供高效、稳定的晶圆表面平坦化工艺，助力产业实现更高良率和更优性能。