在半导体芯片、高端光电器件等精密制造领域，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆纳米级表面精度的重要工艺，需通过 “化学腐蚀” 与 “机械研磨” 的协同作用，去除晶圆表面损伤层并控制亚表面损伤，满足器件对表面粗糙度（常需达亚纳米级）、平整度（微米级以内）的要求。北京艾姆希半导体科技有限公司依托四十余年硬脆材料加工技术积淀，研发系列化化学机械抛光机，针对硅晶圆、化合物半导体晶圆（氮化镓、磷化铟）、光电基材晶圆（铌酸锂、碲锌镉）的差异化特性定制工艺方案，为国内企业与科研机构提供低损伤、高效率、一致性较好的 CMP 加工解决方案。

     北京艾姆希的化学机械抛光技术研发融合全球资源与本土实践，构建起技术体系：联合苏格兰技术中心开展CMP 机理专项研究，围绕 “化学作用与机械作用平衡”“磨料分散性控制”“晶圆应力调控” 等关键挑战开展探索 —— 如针对高硬度氮化镓晶圆，优化抛光液化学组分以增强材料反应活性，同时调整研磨压力避免机械损伤；针对脆性碲锌镉晶圆，研发低腐蚀速率抛光液与柔性研磨头，减少加工裂纹风险。德国生产中心负责高精度 CMP 核心部件制造，包括高刚性抛光主轴（轴向跳动控制在 3μm 以内）、恒压伺服系统（压力精度 ±0.05kg）、恒温控温组件（温度波动≤±1℃），保障设备运行稳定性与工艺重复性；北京研发团队则结合国内客户的晶圆规格（2-8英寸）、产能需求与应用场景，对设备参数与抛光液配方进行本地化调整，如优化 2-8英寸硅晶圆的 CMP 加工速率以适配国内晶圆厂生产节奏，调整铌酸锂晶圆的抛光参数以满足激光调制器的表面质量要求。

     北京艾姆希化学机械抛光机凭借对多品类晶圆的适配能力、稳定的 CMP 性能与全周期服务支持，为国内精密制造领域提供可靠选择。未来，公司将持续优化 CMP 设备工艺与抛光液配方，结合本土产业需求迭代技术，为半导体、光电、新能源等领域的发展提供化学机械抛光解决方案。