在半导体芯片、光电功能器件、新能源功率模块等领域，晶圆的表面质量对器件的性能与可靠性具有重要影响。无论是硅晶圆、化合物半导体晶圆（氮化镓、磷化铟），还是光电基材晶圆（铌酸锂、碲锌镉），都需通过专业的研磨抛光工艺，实现纳米级表面粗糙度、微米级亚表面损伤控制及精准的厚度公差。北京艾姆希半导体科技有限公司依托多年硬脆材料加工技术积淀，研发系列化晶圆研磨抛光设备并配套定制化工艺，为不同行业客户提供低损伤、高效率、高一致性的晶圆精密加工解决方案，为半导体与光电产业发展提供支撑。

     针对 2-8 英寸半导体硅晶圆，北京艾姆希提供  “粗磨 - 精磨 -  粗抛-  精抛”  全流程加工方案。粗磨阶段快速去除切割损伤层，精磨阶段控制表面粗糙度 Ra≤50Å，CMP 阶段通过专用碱性磨料与恒温控制系统（22-28℃），可实现表面粗糙度 Ra≤1Å、亚表面损伤层深度 < 500nm 的加工效果，满足半导体芯片制造对硅晶圆表面质量的相关要求。设备支持自动化上下料集成，单台设备可实现最多四工位的夹具数量对硅晶圆进行加工，同时通过位移传感器精准控制研磨深度，保障批量加工的厚度公差 ±0.5μm，适配晶圆厂规模化生产需求。

     针对 2-8 英寸氮化镓、磷化铟等化合物半导体晶圆，北京艾姆希根据其应用场景（5G 射频、红外探测、功率器件）调整加工方案。对于氮化镓晶圆，采用超细粒度金刚石磨料（粒径 0.5μm 以下）进行预研，搭配 CMP 精抛工艺，在去除材料的同时控制表面粗糙度 Ra≤2Å、亚表面损伤层深度 < 1μm，保障功率器件的散热与导电性能；对于磷化铟晶圆，采用柔性研磨模式与高纯材质接触部件，减少金属离子污染，实现表面平整度≤3nm，满足红外探测器对晶圆表面质量的要求。

    在铌酸锂、碲锌镉等光电基材晶圆加工领域，北京艾姆希关注低应力与防污染需求。针对铌酸锂晶圆（2-8 英寸），采用微压力调节系统（0-3.5kg 可调）与低速研磨（0-120rpm），控制表面粗糙度 Ra≤5Å、厚度公差 ±2μm，适配激光调制器、表面声波滤波器的制造；针对碲锌镉晶圆，通过密封式工作腔、负压除尘系统及高纯陶瓷夹具，减少粉尘与杂质污染，实现表面平整度≤5nm、亚表面损伤层深度 < 500nm，保障核辐射探测器、医疗影像器件的探测灵敏度。此外，公司可根据客户需求定制异形晶圆夹具，适配条形、扇形等特殊形态光电基材的加工。从技术研发到场景落地，北京艾姆希凭借对多品类晶圆加工特性的理解、定制化的解决方案及全周期服务，为企业与科研机构提供合作支持。未来，公司将继续深耕晶圆研磨抛光领域，优化设备性能与工艺方案，为半导体与光电产业的技术发展提供支撑。