在半导体芯片制造、光伏电池生产等领域，硅片作为基础基材，其表面质量对器件性能具有重要影响 ，半导体芯片用硅片需达到纳米级表面粗糙度与微米级厚度公差，光伏用硅片则需兼顾加工效率与表面平整度以提升光电转换效率。硅片具有硬度适中（莫氏硬度 7 级）、脆性较高且不同应用场景（半导体 / 光伏）加工需求差异显著的特点，对抛光研磨设备的精度控制、工艺适配性提出多元要求。北京艾姆希半导体科技有限公司依托四十余年硬脆材料加工技术积淀，研发系列化硅片抛光研磨设备，针对半导体硅片与光伏硅片的差异化需求提供定制化解决方案，为本土企业与科研机构提供低损伤、高效率、适配性强的硅片精密加工支撑。针对半导体与光伏两大领域的硅片特性，北京艾姆希已建立专属抛光研磨工艺数据库，涵盖 N 型 / P 型半导体硅片、单多晶光伏硅片等十余类产品的加工参数，可快速为客户提供 “设备 + 工艺 + 耗材” 一体化解决方案，有助于缩短客户工艺调试周期。

     针对半导体硅片与光伏硅片的不同需求，设备采用差异化工艺设计：对于半导体硅片（2-8 英寸），采用 “粗磨 - 精磨 -  粗抛-  精抛” 的加工流程，粗磨阶段快速去除切割损伤层，精磨阶段控制表面粗糙度 Ra≤50Å，CMP 阶段搭配专用碱性磨料与恒温系统（加工温度稳定在 22-28℃），可实现表面粗糙度 Ra≤1Å、亚表面损伤层深度 < 500nm 的加工效果，满足半导体芯片制造对硅片表面质量的相关要求；对于光伏硅片（166-210mm），采用 “高效研磨 + 精抛” 简化流程，搭配高硬度金刚石磨料与宽压力调节范围（0-200kg 可调），单台设备每小时可完成 30-50 片光伏硅片加工，同时控制表面平整度≤20μm，兼顾效率与质量。设备内置半导体与光伏硅片的专属工艺模板，预设压力、转速、温度等核心参数，客户可根据实际需求微调，快速启动加工流程。

     设备搭载自主研发的数控系统，集成多重高精度传感模块：针对半导体硅片，微压力伺服系统实时监测并修正抛光压力，偏差控制在 ±0.05kg 以内，避免压力波动导致的硅片厚度不均，保障批量加工厚度公差 ±0.5μm；针对光伏硅片，位移传感器精准控制研磨深度，最小控制精度达 0.1μm，确保硅片厚度偏差≤2μm；温度传感器实时监测加工区域温度，超出设定区间（半导体 22-28℃/ 光伏 25-35℃）时自动启动冷却系统，减少温度变化对硅片性能的影响。从技术研发到场景落地，北京艾姆希的硅片抛光研磨设备凭借对不同场景的适配性、加工过程的稳定性与服务的及时性，为本土半导体与光伏产业精密加工提供支撑。未来，公司将持续融合全球技术与本土需求，优化设备的加工精度与效率，助力国内硅基产业发展。