CPI-800纯化学抛光机

化学抛光设备主要用于锑化铟焦平面芯片的纯化学抛光加工，可以将样品抛光至10μm左右，表面无划道等损伤，粗糙度小于10nm。
设备主要包括主机系统，控制系统，供料装置，抛光盘，抛光必备夹具，废液槽等。
设备采用先进技术，设计合理，保证测量准确性，可靠性好，工作效率高，前后工序衔接有序。使用、操作、维修方便，售后服务优秀。
设备采用纯化学抛光方式，样品表面抛光均匀，能够同时加工3盘外径105mm样品。既可以做同心运动，也可以实现偏心运动。
主机设计工作区与显示控制区分离，整体防腐，适用于多种侵蚀液。
控制系统带有计时功能，和转速控制功能。并配有安全紧急停止装置。
单台主机配有1套适用于直径105mm玻璃衬底片的抛光夹具，主要包括甲板、抓夹、齿轮等零配件。
抛光夹具安装稳定，并且容易拆卸清洗。为了保证抛光夹具高度的设置，使工作甲板组件与抛光盘距离可以调节，甲板定位销可以贴合在玻璃盘中心。
化学抛光设备在工作过程中，玻璃衬底片携带样品可以在夹具中均匀旋转且无阻滞。
抛光盘可以旋转，转速可调范围0～70rpm。可用于贴化学抛光布，容易拆洗。
设备配置防腐蚀料瓶不少于2个，安装方便，容易拆洗。配置滴料装置，滴速能够精准控制，方便操作。
对于废液排放，设备带有接废液装置。
设备配备落地式通风柜，并且带有安全防护门，既可以防腐蚀，又方便清理，为用户提供安装服务。
脚踏式控制开关，可以远程控制设备，避免腐蚀性磨抛液对操作人员造成危害。
时间从0到10个小时自由调节，到达设定时间时，设备可以设置继续运行，也可以设置成自动停止。
半导体晶片和光晶体的高精度腐蚀抛光，并提供晶体最小应力的解决方案。
技术指标：
● 加工尺寸：可加工83mm/3寸和105mm/4寸；
● 厚度在线监测，测试精度优于2μm；
Ф50mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±1μm以内；
Ф75mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±2μm以内；
Ф100mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±3μm以内。
● 化学抛光加工最终厚度可达10±2μm，样品表面没有损裂。

• 用于红外探测和其它器件的碲锌镉，碲镉汞，锑化铟，锑化镓等。
• 用于薄脆的半导体材料，如砷化镓，磷化铟和多种Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。
• 用于所有需要电子/光学级抛光的高标准应用，如硫化镉及类似的光电材料。
应用的范围包括:
• MEMS
• 半导体器件
• 半导体衬底
• 封装

项目	参数
电源:	230V 50-60HZ 10A
环境温度:	15～35℃
环境湿度:	15％～55％
晶圆尺寸:	83mm/3寸 105mm/4寸
工作盘直径:	14''/16''
盘转速:	0-70rpm
定时时间:	0-10小时
进料通道:	≥2

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