GNAD-L系列精密研磨抛光机

GNAD-L系列精密抛光设备主要用于锑化铟焦平面芯片的减薄抛光工艺。
设备原理是将被磨、抛材料放置于研磨盘上，研磨盘逆时针转动，修正轮带动工件自转，可控加压的方式对工件进行施压，在磨料的配合下，工件与研磨盘作相对运转磨擦，来达到磨抛目的。
设备主要包括精密磨抛主机，自动修盘系统，耐腐蚀型真空单元，精磨抛光夹具，真空吸附装置和基准板，真空连接器，无刻槽玻璃磨盘，玻璃磨盘测试块等。
GNAD-L系列精密抛光设备为全封闭主机，带有安全保护门。设备配有排风功能和照明功能。同时主机内部带有内置水枪和气枪，真空计量表。
设备主机分为两个区域，工作区与显示控制区分离。并采用微电脑数字化控制面板，所有参数调整均可在触摸控制面板上进行调整。主机带有工艺参数储存及调用功能，确保工艺的一致性和重复性。
主机工作具有定时功能，设定时间达到后设备停止运转。主轴采用不锈钢材料，坚固耐用。设备具有的去除量设置及检测功能，在发生故障事件时，能够报警提示。
设备配置样品水平转动驱动系统具有摆动功能，摆动幅度和摆速可以实时显示在控制面板上，并可精准调节。研磨盘转动速度≤70rpm，可以根据用户需求进行调整。
晶圆样品通过抽真空的方式吸附在夹具底面，并可以根据用户工艺要求定制各种角度附件等非标夹具附件，并实现对非标形状样品的抛光及角度抛光。
夹具具有压力调节功能，对晶圆样品的压力连续可调，压力范围0.1-3.5kg，并配置压力测量装置。
夹具配备数字厚度监测表（数字千分表），数字千分表具备实时信号传输及采集功能，控制去除量。可实现与主机工艺参数的实时传输，监测精度优于2μm。
夹具的转速配有独立驱动功能，有辅助带动电机，电机转速与盘转速能够稳定匹配，转速范围0～70rpm。并配置角度调节板，调节最大范围±3°。
设备配有无刻槽玻璃磨盘，以及在线修盘系统具备平整度自动控制功能，可以实时信号传输及采集功能，反馈研磨盘平面度，平面度测量偏差优于1μm。
研磨盘方便安装、容易清洗。
设备主机内置供料装置，提供至少三路进料通道，采用蠕动泵控制滴流料液，料桶能够在线搅拌，防止磨料剧团。
每个滴料通道都可以单独控制，进料速度1～100ml/min连续可控。供料管耐腐蚀，方便拆卸清洗。
供料管道配置冲水功能，并具有滴料检测报警提示功能。
设备主机配置单独的真空单元，真空度可以达到-0.9bar，配有无油真空泵，具有独立防倒吸功能，以减少超净空间的污染。
在线实时磨抛盘温控及冷却选配功能，盘温接近预设温度警戒值，设备会自动启动冷却功能，保持磨抛盘在工艺要求的温度范围内运转工作。
磨抛盘自动冲洗选配功能，可实时在线冲洗磨抛工作区域。并且流速，清洗时间等参数可精确数控。
设备定时功能，预设时间0-10小时。预设时间达到，设备自动停机。
为更好的配合检测工作，单独配置一套非接触式测厚仪，显示分辨率0.1μm，探测分辨率2.5μm，测量厚度范围±1.25mm，控制部分配置高纯过滤装置，可以过滤0.5μm颗粒。
非接触式测厚仪气源压力2bar，气体流量0.2cfm，可通过内置压力表调节，测量力15~20g气压。
GNAD-L系列精密抛光设备加工尺寸≤100mm/4寸，厚度为0.1～1.5mm；
Ф50mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±1μm以内；
Ф75mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±2μm以内；
Ф100mm晶片的总厚度偏差（TTV）在±3μm以内。

适用的材料包括：
• 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
• III-V材料（GaAs、InP、GaSb等）
• 第三代半导体材料（SiC、GaN 等）
• 红外材料（CZT、MCT等）
• 光电材料（LiNbO₃、LiTaO₃、SiO₂等）
• 金属材料（Au、Cu、Al、Mo、TC4等）
应用的范围包括:
• MEMS
• 半导体器件
• 半导体衬底
• 封装

项目	参数
电源:	230V 50/60Hz 10A
环境温度:	15～35℃
环境湿度:	15％～55％
晶圆尺寸:	≤100mm/4寸
摆臂驱动转速:	0-70rpm
盘转速:	0-70rpm
定时时间:	0-10小时
进料通道:	≥ 3

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