CDP400

• 设备灵活，可支持多种Head。
• 设备工艺能力接近同尺寸产品的主流机型水准。
• 设备片间工艺一致性好。
• 1-4英寸 Si、TSV、TGV抛光及SIC、LT、GaAs等化合物表面抛光。
• 本设备配置的polisher head均为我公司自行研发设计与生产。
• 其中4寸4腔Head为我公司独创的产品，填补了国内无多腔4寸Head的空白，我公司可根据客户产品的特性快速修改或订制Head。如在TGV薄片(200um)产品开发中，我公司修改了Head内部结构，适应了薄片抛光的需求:如LN表面OX抛光工艺开发过程中我公司对4寸Head进行深度升级，成功达到客户产品需求。
• 设备采用摩擦力和光学的终点检测方法可用于各种CMP应用。
• 抛光头加压区域数量4个
• 最大可加工四寸，有助于实现不同尺寸的晶圆加工
• 转速稳定性≤0.5rpm@50rpm
• 高精度控制气压，我公司集成国内主流气压控制模块（UPA）加上我们自行研发的算法，能实现对Polisher Head 内部气压进行高精度控制。
• 额定转矩≥45N·m
• 额定转速≥80rpm
• 高精度控制转速及加减速。CMP运行过程中速度控制同样也对产品造成影响，我们与国内知名电机供应商联合开发一款应用于半导体 CMP 场景的伺服系统并成功应用到我们机台中。
• 高节拍整机调度方案。我们在机台设计规划中就制定了机台高节拍运行方案，项目实施过程中按照高节拍运行方案执行。
• 设备工艺能力强，可为客户提供工艺整体解决方案。我公司在CMP抛光领域持续耕耘多年，有完整的工艺平台及工艺人技术人员，设备运行稳定。
• 可实现盘温监控、自动冷却、自动冲洗。
• 设备电气系统装置齐全，管线完整，性能良好，运行可靠，本机台软件硬件均为我公司自主研发。

适用的材料包括：
• 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
• III-V材料（GaAs、InP、GaSb等）
• 第三代半导体材料（SiC、GaN 等）
• 红外材料（CZT、MCT等）
• 光电材料（LiNbO₃、LiTaO₃、SiO₂等）
• 金属材料（Au、Cu、Al、Mo、TC4等）
应用的范围包括:
• MEMS
• 半导体器件
• 半导体衬底
• 封装

项目	参数
电源:	220-240v 10A
环境温度:	20°C ± 5°C
环境湿度:	< 80%
晶圆尺寸:	4”
工作盘直径:	254mm
摆臂驱动转速:	0-80rpm
盘转速:	0-80rpm
定时时间:	0-10小时
进料通道:	≥ 2

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